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NSBA143ZDXV6T1G

NSBA143ZDXV6T1G onsemi

dta143zd-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 162500 Stücke:
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Technische Details NSBA143ZDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSBA143ZDXV6T1G NSBA143ZDXV6T1G onsemi DTA143ZD_D-2310890.pdf Digital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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NSBA143ZDXV6T1G ONSEMI RE_DSHEET_NSBA143ZDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Digital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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