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NSBC113EDXV6T1

NSBC113EDXV6T1 onsemi

NSBC114EDXV6Tx.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Resistor - Base (R1): 1kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
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Technische Details NSBC113EDXV6T1 onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms, Resistor - Base (R1): 1kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSBC113EDXV6T1 ONSEMI ONSMS11903-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 36000 Stücke:
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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