Produkte > ONSEMI > NSBC115EDXV6T1G
NSBC115EDXV6T1G

NSBC115EDXV6T1G onsemi


dtc115ed-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 196000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.12 EUR
12000+0.10 EUR
28000+0.10 EUR
100000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSBC115EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 100kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Weitere Produktangebote NSBC115EDXV6T1G nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSBC115EDXV6T1G NSBC115EDXV6T1G Hersteller : onsemi dtc115ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 196000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+0.67 EUR
38+0.47 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC115EDXV6T1G NSBC115EDXV6T1G Hersteller : onsemi DTC115ED_D-2310856.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.69 EUR
10+0.48 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.12 EUR
8000+0.10 EUR
24000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC115EDXV6T1G NSBC115EDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc115ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH