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NSBC123JDXV6T1

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Technische Details NSBC123JDXV6T1

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSBC123JDXV6T1 ONSEMI ONSMS11903-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSBC123JDXV6T1 - EACH
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: ONSEMI
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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