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NSBC124EDXV6T1G onsemi


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Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
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Technische Details NSBC124EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSBC124EDXV6T1G NSBC124EDXV6T1G onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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