NSBC143EPDP6T5G ON Semiconductor
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Technische Details NSBC143EPDP6T5G ON Semiconductor
Category: Complementary transistors, Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V, Type of transistor: NPN / PNP, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 408mW, Case: SOT963, Current gain: 15...30, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Base resistor: 4.7kΩ, Quantity in set/package: 8000pcs., Base-emitter resistor: 4.7kΩ, Kind of transistor: BRT; complementary pair.
Weitere Produktangebote NSBC143EPDP6T5G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NSBC143EPDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R |
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NSBC143EPDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 |
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NSBC143EPDP6T5G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT |
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| NSBC143EPDP6T5G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 408mW Case: SOT963 Current gain: 15...30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Base-emitter resistor: 4.7kΩ Kind of transistor: BRT; complementary pair |
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