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NSBC144EDP6T5G

NSBC144EDP6T5G onsemi

dtc144ed-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 48000 Stücke:
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Technische Details NSBC144EDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 339mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SOT-963.

Weitere Produktangebote NSBC144EDP6T5G nach Preis ab 0.093 EUR bis 0.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSBC144EDP6T5G NSBC144EDP6T5G onsemi DTC144ED-D.PDF Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
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NSBC144EDP6T5G NSBC144EDP6T5G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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