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NSBC144WDXV6T1G

NSBC144WDXV6T1G onsemi

dtc144wd-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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Technische Details NSBC144WDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSBC144WDXV6T1G ONSEMI RE_DSHEET_NSBC144WDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBC144WDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSBC144WDXV6T1G onsemi DTC144WD_D-2311151.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 3999 Stücke:
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4+0.77 EUR
10+0.57 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.17 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC144WDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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