NSF030120D7A0-QJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.44 EUR |
| 10+ | 14.84 EUR |
| 100+ | 11.11 EUR |
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Technische Details NSF030120D7A0-QJ Nexperia USA Inc.
Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-236-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote NSF030120D7A0-QJ nach Preis ab 11 EUR bis 21.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NSF030120D7A0-QJ | Nexperia |
SiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263- |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF030120D7A0-QJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 306W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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NSF030120D7A0-QJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSF030120D7A0-QJ |
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Hersteller: Nexperia
SiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
SiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 21.53 EUR |
| 10+ | 14.91 EUR |
| 100+ | 11.16 EUR |
| 800+ | 11 EUR |
| NSF030120D7A0-QJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NSF030120D7A0-QJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)