
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 35.32 EUR |
10+ | 31.15 EUR |
25+ | 31.13 EUR |
100+ | 26.93 EUR |
250+ | 26.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NSF030120L3A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote NSF030120L3A0Q nach Preis ab 30.89 EUR bis 40.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSF030120L3A0Q | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
NSF030120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
![]() |
NSF030120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
![]() |
NSF030120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
NSF030120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |