| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.67 EUR |
| 10+ | 13.57 EUR |
| 100+ | 11.58 EUR |
| 800+ | 9.81 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NSF040120D7A1-QJ Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote NSF040120D7A1-QJ nach Preis ab 8.68 EUR bis 29.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSF040120D7A1-QJ | Nexperia USA Inc. |
 Description: NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263- |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NSF040120D7A1-QJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| NSF040120D7A1-QJ |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
Description: NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 20.04 EUR |
| 10+ | 13.82 EUR |
| 100+ | 10.29 EUR |
| 800+ | 8.68 EUR |
| NSF040120D7A1-QJ |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 29.39 EUR |
| 11+ | 23.13 EUR |
| 13+ | 17.52 EUR |
| 50+ | 16.81 EUR |
| 100+ | 16.11 EUR |
| 250+ | 15.79 EUR |