NSF040120L4A0Q Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 27.91 EUR |
| 10+ | 22.46 EUR |
| 120+ | 19.09 EUR |
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Technische Details NSF040120L4A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 306W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote NSF040120L4A0Q nach Preis ab 15.57 EUR bis 42.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NSF040120L4A0Q | Nexperia |
 SiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF040120L4A0Q | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 306W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF040120L4A0Q | Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120L4A0Q |
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Hersteller: Nexperia
SiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
SiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 29.82 EUR |
| 10+ | 26.57 EUR |
| 510+ | 16.37 EUR |
| 1020+ | 15.57 EUR |
| NSF040120L4A0Q |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 40.16 EUR |
| 10+ | 32.99 EUR |
| 50+ | 32.37 EUR |
| 100+ | 31.76 EUR |
| 250+ | 31.14 EUR |
| NSF040120L4A0Q |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 42.41 EUR |
| 10+ | 30.55 EUR |