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NSF040120L4A0Q

NSF040120L4A0Q Nexperia

nsf040120l4a0.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A
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Technische Details NSF040120L4A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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NSF040120L4A0Q NSF040120L4A0Q Hersteller : Nexperia nsf040120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A
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NSF040120L4A0Q NSF040120L4A0Q Hersteller : Nexperia NSF040120L4A0.pdf SiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
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NSF040120L4A0Q NSF040120L4A0Q Hersteller : Nexperia USA Inc. NSF040120L4A0.pdf Description: NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
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NSF040120L4A0Q NSF040120L4A0Q Hersteller : NEXPERIA 4190491.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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NSF040120L4A0Q Hersteller : NEXPERIA nsf040120l4a0.pdf N-channel MOSFET
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NSF040120L4A0Q NSF040120L4A0Q Hersteller : Nexperia nsf040120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A
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