Technische Details NSF040120T1A1HP Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NSF040120T1A1HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, QDPAK-EP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 217W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: QDPAK-EP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote NSF040120T1A1HP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NSF040120T1A1HP | Nexperia USA Inc. |
 Description: 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSF040120T1A1HP | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120T1A1HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, QDPAK-EP tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 217W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: QDPAK-EP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSF040120T1A1HP |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Description: 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| NSF040120T1A1HP |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120T1A1HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, QDPAK-EP
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: NEXPERIA - NSF040120T1A1HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, QDPAK-EP
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
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Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
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