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NSF060120D7A0-QJ

NSF060120D7A0-QJ Nexperia

NSF060120D7A0-Q.pdf
Hersteller: Nexperia
SiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
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Technische Details NSF060120D7A0-QJ Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 183W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSF060120D7A0-QJ NSF060120D7A0-QJ Nexperia USA Inc. NSF060120D7A0-Q.pdf Description: NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
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NSF060120D7A0-QJ NSF060120D7A0-QJ NEXPERIA NSF060120D7A0-Q.pdf Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
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