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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NSF060120D7A0J Nexperia
Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-236-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote NSF060120D7A0J nach Preis ab 14.58 EUR bis 26.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NSF060120D7A0J | Hersteller : Nexperia |
 SiC MOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET |
auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF060120D7A0J | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA Supplier Device Package: TO-236-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V |
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NSF060120D7A0J | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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NSF060120D7A0J | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF060120D7A0J | Hersteller : NEXPERIA |
NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF060120D7A0J | Hersteller : NEXPERIA |
NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
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NSF060120D7A0J | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
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NSF060120D7A0J | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
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NSF060120D7A0J | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA Supplier Device Package: TO-236-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V |
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