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NSR20206NXT5G onsemi

nsr20206-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN
Packaging: Bulk
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x0.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
auf Bestellung 2344 Stücke:
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Technische Details NSR20206NXT5G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN, Packaging: Bulk, Package / Case: 0603 (1608 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x0.8), Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V.

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NSR20206NXT5G Hersteller : ON Semiconductor nsr20206-d.pdf Diode Schottky 2A 2-Pin DSN T/R
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NSR20206NXT5G Hersteller : onsemi NSR20206-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN
Packaging: Bulk
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x0.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
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