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NSR20F30NXT5G ONSEMI

NSR20F30NXT5G.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Case: DSN0603-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.48V
Max. off-state voltage: 30V
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 28A
auf Bestellung 835 Stücke:
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Technische Details NSR20F30NXT5G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: 0603, Durchlassstoßstrom: 28A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 480mV, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: NSR20, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G Hersteller : ON Semiconductor nsr20f30-d.pdf Diode Schottky 2A 2-Pin DSN T/R
auf Bestellung 78750 Stücke:
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380+0.38 EUR
2500+0.26 EUR
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G Hersteller : onsemi nsr20f30-d.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 0603 FC SCHOTTKY DIODES
auf Bestellung 78039 Stücke:
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37453 Stücke:
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37453 Stücke:
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G Hersteller : ON Semiconductor nsr20f30-d.pdf Diode Schottky 2A 2-Pin DSN T/R
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G Hersteller : onsemi nsr20f30-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A 2DSN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x.80)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 30 V
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G Hersteller : onsemi nsr20f30-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x.80)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 30 V
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