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NSS1C201LT1G

NSS1C201LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NSS1C201LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 490mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6190 Stücke:
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577+0.3 EUR
737+0.24 EUR
763+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6190 Stücke:
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209+0.83 EUR
571+0.3 EUR
577+0.29 EUR
737+0.21 EUR
763+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G onsemi NSS1C201L-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
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4+0.99 EUR
10+0.63 EUR
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1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22749 Stücke:
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17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ONSEMI nss1c201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 569 Stücke:
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179+1.4 EUR
288+0.81 EUR
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ONSEMI nss1c201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 569 Stücke:
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19759 Stücke:
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2950+0.23 EUR
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auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
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NSS1C201LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
577+0.3 EUR
737+0.24 EUR
763+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 577 Stücke
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NSS1C201LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+0.83 EUR
571+0.3 EUR
577+0.29 EUR
737+0.21 EUR
763+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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NSS1C201LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
auf Bestellung 73940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.99 EUR
10+0.63 EUR
100+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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NSS1C201LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
179+1.4 EUR
288+0.81 EUR
451+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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NSS1C201LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
179+1.4 EUR
288+0.81 EUR
451+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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NSS1C201LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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