NSS20201LT1G ON Semiconductor
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Technische Details NSS20201LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NSS20201LT1G nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.83 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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NSS20201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS20201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW |
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NSS20201LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A |
auf Bestellung 6486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 10195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS20201LT1G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NSS20201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 44277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS20201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS20201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS20201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| NSS20201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.54W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 200 Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN |
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