Produkte > ONSEMI > NSS20201LT1G
NSS20201LT1G

NSS20201LT1G onsemi


nss20201l-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSS20201LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3, Power - Max: 460 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote NSS20201LT1G nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSS20201LT1G NSS20201LT1G onsemi NSS20201L-D.PDF Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A
auf Bestellung 6486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1G NSS20201LT1G onsemi nss20201l-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
35+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1G ON nss20201l-d.pdf
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1G NSS20201L-D.PDF
NSS20201LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A
auf Bestellung 6486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1G nss20201l-d.pdf
NSS20201LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.83 EUR
35+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1G nss20201l-d.pdf
Hersteller: ON
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH