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NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G onsemi

nss20201mr6t1g.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
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Technische Details NSS20201MR6T1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 460 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: 6-TSOP.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi nss20201mr6t1g.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi NSS20201MR6T1G-1813731.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
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Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
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Transistor Type: NPN
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Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
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