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NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G onsemi

nss20201mr6t1g.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
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Technische Details NSS20201MR6T1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 460 mW.

Weitere Produktangebote NSS20201MR6T1G nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G ONSEMI ONSMS11522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 46370 Stücke:
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NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi nss20201mr6t1g.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
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22+0.98 EUR
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NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi NSS20201MR6T1G-1813731.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
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10+1.06 EUR
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500+0.64 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
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Description: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
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100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.51 EUR
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6000+0.44 EUR
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