Produkte > ONSEMI > NSS30101LT1G
NSS30101LT1G

NSS30101LT1G onsemi

nss30101lt1g-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSS30101LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NSS30101LT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS30101LT1G NSS30101LT1G ON Semiconductor nss30101lt1g-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
357+0.5 EUR
659+0.26 EUR
673+0.25 EUR
1000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G NSS30101LT1G ON Semiconductor nss30101lt1g-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
353+0.49 EUR
357+0.46 EUR
659+0.24 EUR
666+0.23 EUR
673+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G NSS30101LT1G onsemi nss30101lt1g-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 8570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
41+0.52 EUR
100+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G NSS30101LT1G onsemi nss30101lt1g-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G NSS30101LT1G ONSEMI nss30101lt1g-d.pdf Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
357+0.5 EUR
659+0.26 EUR
673+0.25 EUR
1000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
266+0.67 EUR
353+0.49 EUR
357+0.46 EUR
659+0.24 EUR
666+0.23 EUR
673+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 8570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.77 EUR
41+0.52 EUR
100+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.08 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH