NSS30101LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details NSS30101LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NSS30101LT1G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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NSS30101LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
auf Bestellung 8570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat |
auf Bestellung 19761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NSS30101LT1G | Hersteller : ONSEMI |
NSS30101LT1G NPN SMD transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |