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NSS40201LT1G

NSS40201LT1G ON Semiconductor

nss40201l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NSS40201LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : onsemi nss40201l-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : ONSEMI nss40201l-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
152+0.47 EUR
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
341+0.21 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : ONSEMI nss40201l-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
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228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
341+0.21 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : ON Semiconductor nss40201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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363+0.38 EUR
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715+0.18 EUR
723+0.17 EUR
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3000+0.13 EUR
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : onsemi nss40201l-d.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
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1000+0.24 EUR
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9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : onsemi nss40201l-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
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31+0.58 EUR
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500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : ONSEMI 2354495.pdf Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : ONSEMI nss40201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : ONSEMI 2354495.pdf Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7380 Stücke:
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NSS40201LT1G NSS40201LT1G Hersteller : ON Semiconductor 433258403886175nss40201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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