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NSS40300MZ4T1G

NSS40300MZ4T1G ON Semiconductor

nss40300mz4-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
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Technische Details NSS40300MZ4T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NSS40300MZ4T1G nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G ON Semiconductor nss40300mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2379 Stücke:
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521+0.33 EUR
529+0.32 EUR
538+0.3 EUR
546+0.29 EUR
555+0.27 EUR
565+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
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NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G onsemi nss40300mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G onsemi NSS40300MZ4_D-1813518.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
auf Bestellung 2349 Stücke:
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3+1.44 EUR
10+0.92 EUR
100+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
218+1.07 EUR
254+0.84 EUR
304+0.7 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5418 Stücke:
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304+0.7 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G onsemi nss40300mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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NSS40300MZ4T1G ON nss40300mz4-d.pdf
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NSS40300MZ4T1G
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Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS40300MZ4T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
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2000+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NSS40300MZ4T1G ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS40300MZ4T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5418 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
157+1.59 EUR
218+1.07 EUR
254+0.84 EUR
304+0.7 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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NSS40300MZ4T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.59 EUR
218+1.07 EUR
254+0.84 EUR
304+0.7 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
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NSS40300MZ4T1G nss40300mz4-d.pdf
Hersteller: ON
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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