NSS40301MZ4T1G ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 418+ | 0.42 EUR |
| 489+ | 0.36 EUR |
| 549+ | 0.31 EUR |
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Technische Details NSS40301MZ4T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NSS40301MZ4T1G nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NSS40301MZ4T1G | onsemi |
 Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 215MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 215MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 12622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NSS40301MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 47 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSS40301MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 2000+ | 0.38 EUR |
| NSS40301MZ4T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 368+ | 0.48 EUR |
| 418+ | 0.4 EUR |
| 489+ | 0.33 EUR |
| 549+ | 0.29 EUR |
| NSS40301MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.55 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| NSS40301MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.57 EUR |
| 22+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| NSS40301MZ4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NSS40301MZ4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)