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NSS40301MZ4T1G

NSS40301MZ4T1G onsemi

nss40301mz4-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
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Technische Details NSS40301MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS40301MZ4T1G NSS40301MZ4T1G ON Semiconductor nss40301mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
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489+0.36 EUR
549+0.31 EUR
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NSS40301MZ4T1G NSS40301MZ4T1G ON Semiconductor nss40301mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS40301MZ4T1G NSS40301MZ4T1G onsemi nss40301mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
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NSS40301MZ4T1G NSS40301MZ4T1G onsemi nss40301mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 30563 Stücke:
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14+1.55 EUR
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500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NSS40301MZ4T1G NSS40301MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NSS40301MZ4T1G NSS40301MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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NSS40301MZ4T1G ONSEMI nss40301mz4-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 200...500
auf Bestellung 995 Stücke:
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NSS40301MZ4T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
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NSS40301MZ4T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
368+0.49 EUR
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489+0.33 EUR
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NSS40301MZ4T1G
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Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NSS40301MZ4T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
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500+0.48 EUR
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NSS40301MZ4T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NSS40301MZ4T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 200...500
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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