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NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3T2G ON Semiconductor

nss40501uw3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details NSS40501UW3T2G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Hersteller : ON Semiconductor nss40501uw3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Hersteller : onsemi NSS40501UW3_D-1813903.pdf Bipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
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NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Hersteller : onsemi nss40501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
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