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NST3946DP6T5G

NST3946DP6T5G onsemi

nst3946dp6-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT-963
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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8000+0.1 EUR
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Technische Details NST3946DP6T5G onsemi

Description: ONSEMI - NST3946DP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 240 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 240mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 240mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NST3946DP6T5G NST3946DP6T5G ON Semiconductor nst3946dp6-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R
auf Bestellung 15880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
631+0.27 EUR
670+0.26 EUR
963+0.18 EUR
1332+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.083 EUR
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NST3946DP6T5G NST3946DP6T5G ONSEMI 2371200.pdf Description: ONSEMI - NST3946DP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 240 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 240mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 240mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1167 Stücke:
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524+0.48 EUR
841+0.27 EUR
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NST3946DP6T5G NST3946DP6T5G onsemi nst3946dp6-d.pdf Bipolar Transistors - BJT LESHAN DUAL COMPLMNT SOT-963
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10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
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2000+0.13 EUR
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NST3946DP6T5G NST3946DP6T5G ON Semiconductor nst3946dp6-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R
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405+0.42 EUR
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631+0.25 EUR
670+0.23 EUR
963+0.14 EUR
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Description: ONSEMI - NST3946DP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 240 mW
tariffCode: 85412100
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 240mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
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Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 350mW
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