NST846MTWFTBG onsemi
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details NST846MTWFTBG onsemi
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 570mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: XDFNW, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NST846MTWFTBG nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NST846MTWFTBG | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 570mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NST846MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 570mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NST846MTWFTBG |
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Hersteller: ONSEMI
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auf Bestellung 2575 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 365+ | 0.63 EUR |
| 572+ | 0.38 EUR |
| 827+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| NST846MTWFTBG |
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Hersteller: ONSEMI
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| 572+ | 0.38 EUR |
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