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NST847BDP6T5G

NST847BDP6T5G onsemi


nst847bdp6-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NST847BDP6T5G onsemi

Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963, Supplier Device Package: SOT-963, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR).

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NST847BDP6T5G NST847BDP6T5G onsemi NST847BDP6-D.PDF Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN GP TRANS
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NST847BDP6T5G NST847BDP6T5G onsemi nst847bdp6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
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Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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