Produkte > ONSEMI > NST847BDP6T5G

NST847BDP6T5G onsemi


nst847bdp6-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NST847BDP6T5G onsemi

Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963, Supplier Device Package: SOT-963, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote NST847BDP6T5G nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NST847BDP6T5G NST847BDP6T5G onsemi NST847BDP6-D.PDF Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN GP TRANS
auf Bestellung 11193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5G NST847BDP6T5G onsemi nst847bdp6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5G ON Semiconductor nst847bdp6-d.pdf
auf Bestellung 7144 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5G NST847BDP6-D.PDF
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN GP TRANS
auf Bestellung 11193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5G nst847bdp6-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5G nst847bdp6-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 7144 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH