Technische Details NSV40201LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NSV40201LT1G nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NSV40201LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSV40201LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSV40201LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSV40201LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR |
auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSV40201LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3Power - Max: 460 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSV40201LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| NSV40201LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 234+ | 1.07 EUR |
| 347+ | 0.67 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 654+ | 0.33 EUR |
| 1500+ | 0.3 EUR |
| NSV40201LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 234+ | 1.07 EUR |
| 347+ | 0.67 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 654+ | 0.33 EUR |
| 1500+ | 0.3 EUR |
| NSV40201LT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
Bipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.15 EUR |
| 10+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| NSV40201LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.21 EUR |
| 28+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |





