NSVBC817-40WT1G ON Semiconductor
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Technische Details NSVBC817-40WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSVBC817-40WT1G nach Preis ab 0.047 EUR bis 0.38 EUR
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 460 mW Qualification: AEC-Q101 |
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NSVBC817-40WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| NSVBC817-40WT1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 45 V, 0.5 A, General Purpose NPN Transistor |
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| NSVBC817-40WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.46W Case: SC70; SOT323 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
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