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NSVDTA123EM3T5G

NSVDTA123EM3T5G ON Semiconductor


dta123e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Digital BJT Transistor
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Technische Details NSVDTA123EM3T5G ON Semiconductor

Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ, Type of transistor: PNP, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.6W, Case: SOT723, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Base resistor: 2.2kΩ, Base-emitter resistor: 2.2kΩ, Current gain: 8...15, Application: automotive industry, Quantity in set/package: 8000pcs..

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSVDTA123EM3T5G NSVDTA123EM3T5G Hersteller : ON Semiconductor DTA123E-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
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NSVDTA123EM3T5G Hersteller : ON Semiconductor DTA123E-D-1387571.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BR XSTR PN
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NSVDTA123EM3T5G Hersteller : ONSEMI DTA123E-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Application: automotive industry
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