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NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G ONSEMI

2339386.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 110682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
445+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
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Technische Details NSVF3007SG3T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-70FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSVF3007SG3T1G NSVF3007SG3T1G ONSEMI 2339386.pdf Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
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NSVF3007SG3T1G NSVF3007SG3T1G onsemi NSVF3007SG3_D-1813735.pdf RF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 680-684 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+1.42 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NSVF3007SG3T1G onsemi NSVF3007SG3-D.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 350mW
Gain: 12dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 110911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
882+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 882 Stücke
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NSVF3007SG3T1G ON Semiconductor NSVF3007SG3-D.PDF nsvf3007sg3-d.pdf
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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RF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
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Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 350mW
Gain: 12dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
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