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Technische Details NSVF3007SG3T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-70FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NSVF3007SG3T1G nach Preis ab 0.55 EUR bis 0.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NSVF3007SG3T1G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FLtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-70FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NSVF3007SG3T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-70FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| NSVF3007SG3T1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 110911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSVF3007SG3T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NSVF3007SG3T1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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NSVF3007SG3T1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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