NSVF4015SG4T1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NSVF4015SG4T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SC-82FL, Bauform - HF-Transistor: SC-82FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 10GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NSVF4015SG4T1G nach Preis ab 0.33 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NSVF4015SG4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SC-82FL Bauform - HF-Transistor: SC-82FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVF4015SG4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SC-82FL Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVF4015SG4T1G | onsemi |
RF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G |
auf Bestellung 3073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSVF4015SG4T1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSVF4015SG4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 77788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSVF4015SG4T1G | ON Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSVF4015SG4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 338+ | 0.74 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 535+ | 0.4 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| NSVF4015SG4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 338+ | 0.74 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 535+ | 0.4 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| NSVF4015SG4T1G |
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Hersteller: onsemi
RF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
RF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
auf Bestellung 3073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| NSVF4015SG4T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 0.82 EUR |
| 37+ | 0.57 EUR |
| 42+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 250+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| NSVF4015SG4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 77788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.5 EUR |
| NSVF4015SG4T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)