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NSVMMBTH81LT3G

NSVMMBTH81LT3G onsemi

mmbth81-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
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Technische Details NSVMMBTH81LT3G onsemi

Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSVMMBTH81LT3G NSVMMBTH81LT3G Hersteller : onsemi MMBTH81-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor AEC-Q101 Qualified
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NSVMMBTH81LT3G NSVMMBTH81LT3G Hersteller : onsemi mmbth81-d.pdf Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
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NSVMMBTH81LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
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NSVMMBTH81LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf PNP RF Transistor
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NSVMMBTH81LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
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