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NSVT5551DW1T1G onsemi


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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP
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Technische Details NSVT5551DW1T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SC88/SC70, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 200mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk.

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NSVT5551DW1T1G ON Semiconductor NSVT5551DW1-D.PDF NSVT5551DW1T1G
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