
NSVT846MTWFTBG onsemi
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Anzahl | Preis |
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10+ | 0.54 EUR |
100+ | 0.37 EUR |
500+ | 0.27 EUR |
1000+ | 0.21 EUR |
3000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details NSVT846MTWFTBG onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3XDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 570 mW, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote NSVT846MTWFTBG nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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NSVT846MTWFTBG | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 570 mW Qualification: AEC-Q101 |
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NSVT846MTWFTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
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NSVT846MTWFTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
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