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NSVT846MTWFTBG

NSVT846MTWFTBG onsemi

NST846MTWFT_D-3538030.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
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Technische Details NSVT846MTWFTBG onsemi

Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3XDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 570 mW, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NSVT846MTWFTBG nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.92 EUR

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NSVT846MTWFTBG NSVT846MTWFTBG Hersteller : onsemi NST846MTWFT-D.PDF Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3XDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 570 mW
Qualification: AEC-Q101
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