NT9000HDAE4S-ES Nisshinbo
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.42 EUR |
| 10+ | 8.84 EUR |
| 100+ | 7.94 EUR |
| 1000+ | 7.25 EUR |
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Technische Details NT9000HDAE4S-ES Nisshinbo
Description: DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad, Diode Type: Anti-Parallel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 0.2pF @ 2V, 100MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 20V, Supplier Device Package: DFN1212-4-HD, Current - Max: 300 mA, Power Dissipation (Max): 920 mW.
Weitere Produktangebote NT9000HDAE4S-ES
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NT9000HDAE4S-ES | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
Description: DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Diode Type: Anti-Parallel Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.2pF @ 2V, 100MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 20V Supplier Device Package: DFN1212-4-HD Current - Max: 300 mA Power Dissipation (Max): 920 mW |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NT9000HDAE4S-ES | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
Description: DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Diode Type: Anti-Parallel Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.2pF @ 2V, 100MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 20V Supplier Device Package: DFN1212-4-HD Current - Max: 300 mA Power Dissipation (Max): 920 mW |
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| NT9000HDAE4S-ES |
Hersteller: Nisshinbo Micro Devices Inc.
Description: DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Diode Type: Anti-Parallel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.2pF @ 2V, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 20V
Supplier Device Package: DFN1212-4-HD
Current - Max: 300 mA
Power Dissipation (Max): 920 mW
Description: DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Diode Type: Anti-Parallel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.2pF @ 2V, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 20V
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Current - Max: 300 mA
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| NT9000HDAE4S-ES |
Hersteller: Nisshinbo Micro Devices Inc.
Description: DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Diode Type: Anti-Parallel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.2pF @ 2V, 100MHz
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Description: DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Diode Type: Anti-Parallel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.2pF @ 2V, 100MHz
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Current - Max: 300 mA
Power Dissipation (Max): 920 mW
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