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NTA4151PT1G

NTA4151PT1G onsemi

nta4151p-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
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Technische Details NTA4151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, Verlustleistung: 301mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTA4151PT1G NTA4151PT1G ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SOT-416 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.51 EUR
419+0.4 EUR
423+0.39 EUR
768+0.2 EUR
844+0.18 EUR
887+0.17 EUR
1372+0.1 EUR
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NTA4151PT1G NTA4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
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29+0.74 EUR
48+0.44 EUR
67+0.32 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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NTA4151PT1G NTA4151PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 301mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 59316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.84 EUR
681+0.35 EUR
776+0.27 EUR
1048+0.2 EUR
1252+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
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NTA4151PT1G ONSEMI nta4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -0.76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 0.301W
Polarisation: unipolar
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Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SOT-416 T/R
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419+0.4 EUR
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768+0.2 EUR
844+0.18 EUR
887+0.17 EUR
1372+0.1 EUR
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NTA4151PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
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Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
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Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
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NTA4151PT1G ONSM-S-A0013750088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTA4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 301mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
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681+0.35 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -0.76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 0.301W
Polarisation: unipolar
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