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NTA7002NT1G

NTA7002NT1G ON Semiconductor

nta7002n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details NTA7002NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 154mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTA7002NT1G NTA7002NT1G onsemi nta7002n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.096 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G ON Semiconductor nta7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.089 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G ON Semiconductor nta7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G ONSEMI nta7002n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4815 Stücke:
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239+0.36 EUR
358+0.24 EUR
508+0.17 EUR
596+0.14 EUR
887+0.096 EUR
1067+0.08 EUR
1500+0.071 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G onsemi nta7002n-d.pdf MOSFETs 30V 154mA N-Channel
auf Bestellung 299178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
18+0.19 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G onsemi nta7002n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
93+0.23 EUR
107+0.2 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 20205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
390+0.64 EUR
736+0.32 EUR
1027+0.21 EUR
1397+0.15 EUR
1583+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
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NTA7002NT1G ON-Semiconductor nta7002n-d.pdf Tranzystor N-MOSFET; 30V; 10V; 7,5Ohm; 154mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; odpowiednik: RC7002KT; NTA7002NT1G TNTA7002n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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NTA7002NT1G nta7002n-d.pdf
NTA7002NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.096 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTA7002NT1G nta7002n-d.pdf
NTA7002NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.089 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTA7002NT1G nta7002n-d.pdf
NTA7002NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
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9000+0.065 EUR
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NTA7002NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4815 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
239+0.36 EUR
358+0.24 EUR
508+0.17 EUR
596+0.14 EUR
887+0.096 EUR
1067+0.08 EUR
1500+0.071 EUR
3000+0.06 EUR
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NTA7002NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V 154mA N-Channel
auf Bestellung 299178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.38 EUR
18+0.19 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.071 EUR
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NTA7002NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
93+0.23 EUR
107+0.2 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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NTA7002NT1G ONSM-S-A0013749853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTA7002NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 20205 Stücke:
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736+0.32 EUR
1027+0.21 EUR
1397+0.15 EUR
1583+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA7002NT1G nta7002n-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 10V; 7,5Ohm; 154mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; odpowiednik: RC7002KT; NTA7002NT1G TNTA7002n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH