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NTA7002NT1G

NTA7002NT1G ON Semiconductor

nta7002n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details NTA7002NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 154mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : onsemi nta7002n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
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6000+0.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : ONSEMI nta7002n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
379+0.19 EUR
447+0.16 EUR
682+0.10 EUR
810+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : ONSEMI nta7002n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : onsemi nta7002n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 76574 Stücke:
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56+0.32 EUR
110+0.16 EUR
186+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : onsemi nta7002n-d.pdf MOSFETs 30V 154mA N-Channel
auf Bestellung 348502 Stücke:
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8+0.35 EUR
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100+0.10 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NTA7002NT1G NTA7002NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta7002n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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