Produkte > ONSEMI > NTB082N65S3F
NTB082N65S3F

NTB082N65S3F onsemi

ntb082n65s3f-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTB082N65S3F onsemi

Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Weitere Produktangebote NTB082N65S3F nach Preis ab 7.27 EUR bis 19.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.75 EUR
19+9.42 EUR
25+9.04 EUR
100+8.68 EUR
250+8.38 EUR
500+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.75 EUR
19+9.22 EUR
25+8.71 EUR
100+8.21 EUR
250+7.74 EUR
500+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+10.67 EUR
100+9.98 EUR
500+9.27 EUR
1000+8.54 EUR
10000+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F onsemi ntb082n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.15 EUR
10+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F NTB082N65S3F onsemi ntb082n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
auf Bestellung 9742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.37 EUR
10+13.34 EUR
100+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+9.75 EUR
19+9.42 EUR
25+9.04 EUR
100+8.68 EUR
250+8.38 EUR
500+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+9.75 EUR
19+9.22 EUR
25+8.71 EUR
100+8.21 EUR
250+7.74 EUR
500+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+10.67 EUR
100+9.98 EUR
500+9.27 EUR
1000+8.54 EUR
10000+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.15 EUR
10+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.27 EUR
15+15.68 EUR
18+12.45 EUR
50+11.83 EUR
100+9.85 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
auf Bestellung 9742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.37 EUR
10+13.34 EUR
100+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH