NTB095N65S3HF ON Semiconductor
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Technische Details NTB095N65S3HF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 272W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.
Weitere Produktangebote NTB095N65S3HF nach Preis ab 7.44 EUR bis 18.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTB095N65S3HF | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB095N65S3HF | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB095N65S3HF | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO |
auf Bestellung 773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB095N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 272W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB095N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 272W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTB095N65S3HF |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 10.25 EUR |
| NTB095N65S3HF |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.01 EUR |
| 10+ | 10.91 EUR |
| 50+ | 8.72 EUR |
| 100+ | 8.02 EUR |
| NTB095N65S3HF |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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|---|---|
| 1+ | 17.17 EUR |
| 10+ | 12.1 EUR |
| 100+ | 9.78 EUR |
| 500+ | 8.69 EUR |
| 800+ | 7.79 EUR |
| NTB095N65S3HF |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.72 EUR |
| 17+ | 13.95 EUR |
| 23+ | 9.7 EUR |
| 50+ | 8.25 EUR |
| 100+ | 7.58 EUR |
| 250+ | 7.44 EUR |
| NTB095N65S3HF |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.72 EUR |
| 17+ | 13.95 EUR |
| 23+ | 9.7 EUR |
| 50+ | 8.25 EUR |
| 100+ | 7.58 EUR |
| 250+ | 7.44 EUR |