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NTB190N65S3HF

NTB190N65S3HF onsemi


ntb190n65s3hf-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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Technische Details NTB190N65S3HF onsemi

Description: ONSEMI - NTB190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.161 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTB190N65S3HF NTB190N65S3HF Hersteller : onsemi ntb190n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
auf Bestellung 3896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.69 EUR
10+5.76 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NTB190N65S3HF NTB190N65S3HF Hersteller : onsemi NTB190N65S3HF_D-1540055.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.48 EUR
10+5.74 EUR
100+4.17 EUR
500+4.15 EUR
800+3.61 EUR
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NTB190N65S3HF NTB190N65S3HF Hersteller : ONSEMI 2785823.pdf Description: ONSEMI - NTB190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.161 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTB190N65S3HF NTB190N65S3HF Hersteller : ONSEMI 2785823.pdf Description: ONSEMI - NTB190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.161 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTB190N65S3HF NTB190N65S3HF Hersteller : ON Semiconductor ntb190n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NTB190N65S3HF Hersteller : ONSEMI ntb190n65s3hf-d.pdf NTB190N65S3HF SMD N channel transistors
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