Produkte > ONSEMI > NTBG045N065SC1
NTBG045N065SC1

NTBG045N065SC1 onsemi

ntbg045n065sc1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 800 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTBG045N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 242W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 242W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Weitere Produktangebote NTBG045N065SC1 nach Preis ab 10.48 EUR bis 38.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ON Semiconductor ntbg045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+16.12 EUR
100+15.1 EUR
500+14.01 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ON Semiconductor ntbg045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.85 EUR
12+15.11 EUR
50+12.51 EUR
800+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ON Semiconductor ntbg045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.85 EUR
12+14.78 EUR
50+12.04 EUR
800+10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.23 EUR
10+15.18 EUR
100+14.47 EUR
500+14.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.12 EUR
10+18.3 EUR
50+15.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI NTBG045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.14 EUR
11+21.84 EUR
50+19.77 EUR
100+19.34 EUR
250+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI NTBG045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+38.14 EUR
11+21.84 EUR
50+19.77 EUR
100+19.34 EUR
250+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI 3772080.pdf Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+16.12 EUR
100+15.1 EUR
500+14.01 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+18.85 EUR
12+15.11 EUR
50+12.51 EUR
800+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+18.85 EUR
12+14.78 EUR
50+12.04 EUR
800+10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.23 EUR
10+15.18 EUR
100+14.47 EUR
500+14.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+26.12 EUR
10+18.3 EUR
50+15.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1-D.PDF
NTBG045N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+38.14 EUR
11+21.84 EUR
50+19.77 EUR
100+19.34 EUR
250+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1-D.PDF
NTBG045N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+38.14 EUR
11+21.84 EUR
50+19.77 EUR
100+19.34 EUR
250+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1 3772080.pdf
NTBG045N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH