Weitere Produktangebote NTBGS4D1N15MC nach Preis ab 3.77 EUR bis 11.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V |
auf Bestellung 46400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL |
auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V |
auf Bestellung 46945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBGS4D1N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTBGS4D1N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTBGS4D1N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 185A; 316W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 185A Power dissipation: 316W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |