NTBGS6D5N15MC onsemi
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Description: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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800+ | 7.26 EUR |
1600+ | 6.12 EUR |
2400+ | 5.81 EUR |
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Technische Details NTBGS6D5N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTBGS6D5N15MC nach Preis ab 5.14 EUR bis 11.58 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTBGS6D5N15MC | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBGS6D5N15MC | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V |
auf Bestellung 12530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBGS6D5N15MC | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBGS6D5N15MC | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBGS6D5N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTBGS6D5N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
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