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NTBGS6D5N15MC

NTBGS6D5N15MC ON Semiconductor

ntbgs6d5n15mc-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
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Technische Details NTBGS6D5N15MC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 238W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NTBGS6D5N15MC NTBGS6D5N15MC ONSEMI 3005745.pdf Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 605 Stücke:
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NTBGS6D5N15MC NTBGS6D5N15MC onsemi ntbgs6d5n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
auf Bestellung 538 Stücke:
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2+14.45 EUR
10+9.78 EUR
50+7.78 EUR
100+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTBGS6D5N15MC NTBGS6D5N15MC onsemi ntbgs6d5n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
auf Bestellung 961 Stücke:
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10+10.01 EUR
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500+7.14 EUR
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NTBGS6D5N15MC NTBGS6D5N15MC ONSEMI 3005745.pdf Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 605 Stücke:
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14+17.87 EUR
21+11.09 EUR
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500+7.31 EUR
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NTBGS6D5N15MC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 759 Stücke:
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98+6.62 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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NTBGS6D5N15MC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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NTBGS6D5N15MC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 605 Stücke:
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500+7.31 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+9.58 EUR
26+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
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10+9.78 EUR
50+7.78 EUR
100+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTBGS6D5N15MC
Hersteller: onsemi
MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
auf Bestellung 961 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+14.97 EUR
10+10.01 EUR
100+8.04 EUR
500+7.14 EUR
800+6.34 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
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21+11.09 EUR
100+8.22 EUR
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