| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.82 EUR |
| 10+ | 5.9 EUR |
| 100+ | 4.26 EUR |
| 500+ | 4.17 EUR |
| 1000+ | 4.05 EUR |
| 2000+ | 3.91 EUR |
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Technische Details NTBLS1D1N08XTXG onsemi
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 299A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 197W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm.
Weitere Produktangebote NTBLS1D1N08XTXG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTBLS1D1N08XTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 197W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTBLS1D1N08XTXG | ONSEMI |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTBLS1D1N08XTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
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| NTBLS1D1N08XTXG |
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Hersteller: ONSEMI
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auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)


