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NTBLS1D5N08MC

NTBLS1D5N08MC onsemi


ntbls1d5n08mc-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
auf Bestellung 12000 Stücke:

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Technische Details NTBLS1D5N08MC onsemi

Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 298A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC Hersteller : onsemi ntbls1d5n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
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NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC Hersteller : onsemi ntbls1d5n08mc-d.pdf MOSFETs PTNG 80V IN TOLL
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NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC Hersteller : ONSEMI 2913017.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC Hersteller : ONSEMI 2913017.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC Hersteller : ON Semiconductor ntbls1d5n08mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
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NTBLS1D5N08MC Hersteller : ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf NTBLS1D5N08MC SMD N channel transistors
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