NTBLS1D5N08MC onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 6.03 EUR |
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Technische Details NTBLS1D5N08MC onsemi
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 298A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTBLS1D5N08MC nach Preis ab 6.42 EUR bis 11.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NTBLS1D5N08MC | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PTNG 80V IN TOLL |
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NTBLS1D5N08MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V |
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NTBLS1D5N08MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 298A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBLS1D5N08MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 298A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBLS1D5N08MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTBLS1D5N08MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.9W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 111nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4487A Drain-source voltage: 80V Drain current: 298A On-state resistance: 1.53mΩ Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| NTBLS1D5N08MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.9W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 111nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4487A Drain-source voltage: 80V Drain current: 298A On-state resistance: 1.53mΩ |
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