NTD14N03RT4G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.39 EUR |
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Technische Details NTD14N03RT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTD14N03RT4G nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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NTD14N03RT4G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 25V 14A N-Channel |
auf Bestellung 4594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD14N03RT4G****** |
auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTD14N03RT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 1274 Stücke: |
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| NTD14N03RT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 89500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD14N03RT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |