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NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G onsemi

ntd14n03r-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
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2500+0.46 EUR
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Technische Details NTD14N03RT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 20.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.

Weitere Produktangebote NTD14N03RT4G nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.73 EUR
105+1.68 EUR
125+1.37 EUR
250+1.26 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description MOSFETs 25V 14A N-Channel
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+0.9 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.02 EUR
104+1.67 EUR
105+1.58 EUR
125+1.27 EUR
250+1.14 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
auf Bestellung 4121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ntd14n03r-d.pdf description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
193+1.2 EUR
217+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ntd14n03r-d.pdf description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
193+1.2 EUR
217+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ntd14n03r-d.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 1.8nC
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G ONSEMI NTD14N03R-D.PDF description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 89500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G******
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G ON Semiconductor NTD14N03R-D_ONS.PDF description N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 1274 Stücke:
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NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.73 EUR
105+1.68 EUR
125+1.37 EUR
250+1.26 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 25V 14A N-Channel
auf Bestellung 3217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.95 EUR
10+0.9 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.02 EUR
104+1.67 EUR
105+1.58 EUR
125+1.27 EUR
250+1.14 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
auf Bestellung 4121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+2.62 EUR
193+1.2 EUR
217+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
193+1.2 EUR
217+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 1.8nC
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description NTD14N03R-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 89500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G******
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description NTD14N03R-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 1274 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH