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NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G onsemi

ntd14n03r-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
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Technische Details NTD14N03RT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm.

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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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3000+ 0.68 EUR
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : onsemi ntd14n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : onsemi NTD14N03R_D-2318355.pdf MOSFET 25V 14A N-Channel
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5000+ 1.36 EUR
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
auf Bestellung 7565 Stücke:
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
auf Bestellung 7565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD14N03RT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 2,5 А; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20; Qg, нКл = 1,8 @ 5 В; Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; DPAK-3
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100+ 1.67 EUR
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NTD14N03RT4G******
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NTD14N03RT4G Hersteller : ONSEMI NTD14N03R-D.PDF Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 89500 Stücke:
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NTD14N03RT4G Hersteller : ONSEMI ntd14n03r-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD14N03RT4G Hersteller : ONSEMI ntd14n03r-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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