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NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G onsemi

ntd14n03r-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
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Technische Details NTD14N03RT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 20.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.

Weitere Produktangebote NTD14N03RT4G nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description MOSFETs 25V 14A N-Channel
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.67 EUR
25+0.65 EUR
100+0.61 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
105+1.64 EUR
125+1.34 EUR
250+1.23 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
104+1.63 EUR
105+1.55 EUR
125+1.24 EUR
250+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
170+1.37 EUR
259+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.43 EUR
166+1.4 EUR
252+0.84 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD14N03RT4G ONSEMI NTD14N03R-D.PDF description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 89500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 57500 Stücke:
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NTD14N03RT4G ON Semiconductor NTD14N03R-D_ONS.PDF description N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 1274 Stücke:
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NTD14N03RT4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 25V 14A N-Channel
auf Bestellung 4594 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+0.74 EUR
10+0.67 EUR
25+0.65 EUR
100+0.61 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
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NTD14N03RT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.63 EUR
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NTD14N03RT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.69 EUR
105+1.64 EUR
125+1.34 EUR
250+1.23 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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88+1.99 EUR
104+1.63 EUR
105+1.55 EUR
125+1.24 EUR
250+1.12 EUR
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NTD14N03RT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
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NTD14N03RT4G description ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD14N03RT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.37 EUR
170+1.37 EUR
259+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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NTD14N03RT4G description ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD14N03RT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.43 EUR
166+1.4 EUR
252+0.84 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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NTD14N03RT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G description NTD14N03R-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 89500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD14N03RT4G******
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD14N03RT4G description NTD14N03R-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 1274 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH