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NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G onsemi

ntd14n03r-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details NTD14N03RT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description MOSFETs 25V 14A N-Channel
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5+0.62 EUR
10+0.56 EUR
25+0.55 EUR
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
16+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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NTD14N03RT4G ON Semiconductor NTD14N03R-D_ONS.PDF description N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 1274 Stücke:
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1000+0.43 EUR
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NTD14N03RT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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NTD14N03RT4G
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
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NTD14N03RT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
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N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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