NTD20N06LG ON
Produktcode: 27874
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0375 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/15
Montage: SMD
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Technische Details NTD20N06LG ON
- Transistor
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:60V
- Continuous Drain Current, Id:20A
- On Resistance, Rds(on):48mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:1.6V
Weitere Produktangebote NTD20N06LG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NTD20N06LG | On Semiconductor |
 Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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NTD20N06LG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V |
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NTD20N06LG | onsemi |
MOSFET 60V 20A N-Channel |
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| NTD20N06LG |
|
Hersteller: On Semiconductor
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| NTD20N06LG |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
MOSFET 60V 20A N-Channel
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